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GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 480

SFH 481

SFH 482

2.54mm

spacing

酶0.45

酶4.8

酶4.6

1

0.9 .1

Chip position (2.7)

Cathode (SFH 480)

Anode (SFH 216, SFH 231,

SFH 400)

Radiant

Sensitive area

酶5.6

酶5.3

5.3

14.5

5.0

12.5

7.4

6.6

Approx. weight 0.5 g

GEO06314

酶0.45

(2.7)

Chip position

Anode = SFH 481

Cathode = SFH 401

(package)

1.1 .9

0

2.54 mm

spacing

welded

14.5

12.5

Approx. weight 0.35 g

Chip position (2.7)

酶0.45

5.5

5.0

14.5

12.5

5.3

5.0

酶5.6

酶5.3

GET06013

Approx. weight 0.5 g

Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Semiconductor Group

1

1998-04-16

fet06092

Cathode (SFH 402, BPX 65)

Anode (SFH 482)

2.54

spacing

酶4.8

酶4.6

Radiant sensitive area

1.1 .9

0

1

0.9 .1

fet06091

5.3

5.0

6.4

5.6

酶4.8

酶4.6

1

0.9 .1

酶5.6

酶5.3

GET06091

glass

lens

fet06090

1.1 .9

0

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