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Q62703-F106 Datasheet

  • Q62703-F106

  • GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-i...

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GaAs FET
q
q
q
q
q
CFY 25
Low noise
High gain
For front-end amplifiers
lon-implanted planar structure
All gold metallization
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precautions!
Type
CFY 25-17
CFY 25-20
CFY 25-23
Marking
C5
C6
C7
Ordering Code
(tape and reel)
Q62703-F106
Q62703-F107
Q62703-F108
Pin Configuration
1
2
3
4
D
S
G
S
Package
1)
Micro-X
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
56 藲C
2)
Channel temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Channel - soldering point
2)
R
th chS
375
K/W
Symbol
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
P
tot
T
ch
T
stg
Values
5
7
鈥?鈥?0
80
250
150
鈥?65 鈥?+ 150
mA
mW
藲C
Unit
V
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
T
S
is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
07.94

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