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Q62702-P1103 Datasheet

  • Q62702-P1103

  • NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

  • 52.63KB

  • 5頁

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NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 3400
Chip position
1.1
1.0
0.3
0.2
4.8
4.4
Active area
0.55
0.7
0.3
0.8
0.6
Collector
2.7
2.5
Emitter
GEO06953
Ma尾e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet f眉r Anwendungen im
2.1
1.9
0.5
0.3
1.1
0.9
0.1
0.0
not
connected
Features
q
Especially suitable for applications from
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
q
Hohe Linearit盲t
q
SMT-Bauform ohne Basisanschlu脽,
geeignet f眉r Vapor Phase-L枚ten und
IR-Reflow-L枚ten (JEDEC level 4)
q
Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Umgebungslicht-Detektor
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und Wechsel-
460 nm to 1080 nm
q
High linearity
q
SMT package without base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
q
Available only on tape and reel
Applications
q
q
q
q
lichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
鈥濵essen/Steuern/Regeln鈥?/div>
Ambient light detector
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27

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