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KOM 2100 B

KOM 2100 BF

6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray

6-Chip Silicon PIN Photodiode Array

KOM 2100 B

KOM 2100 BF

Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet f眉r Anwendungen im

Features

q

Especially suitable for applications from

q

q

q

q

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM

2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)

Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)

Kathode = Chipunterseite

Geeignet f眉r Diodenbetrieb (mit

Vorspannung) und Elementbetrieb

SMT-f盲hig

q

q

q

q

400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of

880 nm (KOM 2100 BF)

Short switching time (typ. 13 ns)

Cathode = back contact

Available as photodiode with reverse

voltage or photovoltaic cell

Suitable for SMT

Anwendungen

q

Universell, z.B. Drehwinkelgeber

Applications

q

General-purpose, e.g. encoders

Typ

Type

KOM 2100 B

KOM 2100 BF

Bestellnummer

Ordering Code

Q62702-K35

Q62702-K34

Geh盲use

Package

Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit

klarem bzw. schwarzem Epoxyvergu脽

pcb with SMT flanks, cover frame sealed with

transparent or black epoxy

Semiconductor Group

469

10.95

feof6529

feo06529

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• 型號
  版本
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