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Q62702-C2156 Datasheet

  • Q62702-C2156

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NPN Silicon Double Transistors
Preliminary Data
q
To be used as a current mirror
q
Good thermal coupling and
V
BE
matching
q
High current gain
q
Low emitter-saturation voltage
BCV 61
Type
BCV 61 A
BCV 61 B
BCV 61 C
Marking
1Js
1Ks
1Ls
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-C2155
Q62702-C2156
Q62702-C2157
Pin Configuration
Package
1)
SOT-143
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
(transistor T1)
Collector-base voltage (open emitter)
(transistor T1)
Emitter-base voltage
Collector current
Collector peak current
Base peak current (transistor T1)
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
99 藲C
2)
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
1)
2)
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EBS
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Values
30
30
6
100
200
200
300
150
鈥?65 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
藲C
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
240
鈮?/div>
170
K/W
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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