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PHX18NQ11 Datasheet

  • PHX18NQ11

  • N-channel TrenchMOS standard level FET

  • 12頁

  • PHILIPS

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PHX18NQ11T
N-channel TrenchMOS鈩?standard level FET
M3D308
Rev. 01 鈥?13 February 2004
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a fully isolated plastic
package using TrenchMOS鈩?technology.
1.2 Features
s
Low on-state resistance
s
Isolated mounting base
s
Fast switching
s
Low thermal resistance
1.3 Applications
s
DC-to-DC converters
s
Switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
110 V
s
P
tot
鈮?/div>
31.2 W
s
I
D
鈮?/div>
12.5 A
s
R
DSon
鈮?/div>
90 m鈩?/div>
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT186A (TO-220F), simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
source (s)
drain (d)
mounting base;
isolated
g
s
mb
d
Simpli鏗乪d outline
Symbol
MBB076
1 2 3
MBK110
SOT186A (TO-220F)

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