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PHT4NQ10LT Datasheet

  • PHT4NQ10LT

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 13頁

  • PHILIPS

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PHT4NQ10LT
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
M3D087
Rev. 01 鈥?11 September 2000
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHT4NQ10LT in SOT223.
2. Features
s
s
s
s
s
TrenchMOS鈩?technology
Fast switching
Low on-state resistance
Surface mount package
Logic level compatible.
3. Applications
c
c
s
Primary side switch in DC to DC convertors
s
High speed driver
s
Fast general purpose switch.
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
4
Pinning - SOT223, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
4
Simpli鏗乪d outline
Symbol
drain (d)
source (s)
drain (d)
1
Top view
d
g
2
3
MSB002 - 1
MBB076
s
SOT223
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics

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