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PF01412A Datasheet

  • PF01412A

  • MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone

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  • HITACHI

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PF01412A
MOS FET Power Amplifier Module
for E-GSM Handy Phone
ADE-208-477B (Z)
3rd Edition
February 1997
Application
鈥?/div>
For GSM class4 890 to 915 MHz
鈥?/div>
For 5.5V nominal DC/DC converter use
Features
鈥?/div>
High gain 3stage amplifier : 0 dBm input
鈥?/div>
Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc
鈥?/div>
High efficiency : 45% Typ at 3.8 W
鈥?/div>
Wide gain control range : 90 dB Typ
Pin Arrangement
鈥?/div>
RF-K
4
G
3
2
1: Pin
2: Vapc
3: Vdd
4: Pout
G: GND
G
1
G
G
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25擄C)
Item
Supply voltage
Supply current
V
APC
voltage
Input power
Operating case temperature
Storage temperature
Output power
Symbol
V
DD
I
DD
V
APC
Pin
Tc (op)
Tstg
Pout
Rating
10
3
4
10
鈥?0 to +100
鈥?0 to +100
6
Unit
V
A
V
mW
擄C
擄C
W

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    RF Amplifier
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    MOS FET Power Amplifier Module for GSM Mobile Phone
    HITACHI
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    MOS FET Power Amplifier Module for GSM Mobile Phone
    HITACHI [H...
  • 英文版
    MOSFET POWER AMPLIFIER MODULE FOR GSM HANDY PHONE
    HITACHI
  • 英文版
    MOSFET POWER AMPLIFIER MODULE FOR GSM HANDY PHONE
    HITACHI [H...
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    RF Amplifier
    ETC
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    RF Amplifier
  • 英文版
    RF Amplifier
    ETC
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    hitachi
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    RF Amplifier
    ETC
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    RF Amplifier
    ETC
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    HITACHI
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    HITACHI [H...
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    HITACHI
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    HITACHI [H...
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    HITACHI
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