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PBYR245 Datasheet

  • PBYR245

  • Rectifier diodes Schottky barrier

  • 43.09KB

  • 5頁(yè)

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
FEATURES
鈥?Low forward volt drop
鈥?Fast switching
鈥?Reverse surge capability
鈥?High thermal cycling performance
鈥?low profile surface mounting
package
PBYR245CT series
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
V
R
= 40 V/ 45 V
I
O(AV)
= 2 A
V
F
鈮?/div>
0.45V
SOT223
DESCRIPTION
a1
1
k 2
a2
3
GENERAL DESCRIPTION
Dual, common cathode schottky
rectifier diodes in a plastic
envelope. Intended for use as
output rectifiers in low voltage, high
frequency switched mode power
supplies.
The PBYR245CT series is supplied
in the surface mounting SOT223
package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
anode 1
cathode
anode 2
cathode
4
1
2
3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O(AV)
I
FRM
I
FSM
Peak repetitive reverse
voltage
Working peak reverse
voltage
Continuous reverse voltage
Average rectified output
current (both diodes
conducting)
Repetitive peak forward
current per diode
Non-repetitive peak forward
current per diode
Peak repetitive reverse
surge current per diode
Operating junction
temperature
Storage temperature
CONDITIONS
PBYR2
-
-
T
sp
鈮?/div>
74 藲C
square wave;
未
= 0.5; T
sp
鈮?/div>
119 藲C
square wave;
未
= 0.5; T
sp
鈮?/div>
119 藲C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; T
j
= 125 藲C prior to
surge; with reapplied V
RRM(max)
pulse width and repetition rate
limited by T
j max
-
-
-
-
-
-
-
- 40
MIN.
MAX.
40CT
40
40
40
2
2
6
6.6
1
150
150
45CT
45
45
45
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
藲C
藲C
I
RRM
T
j
T
stg
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
pcb mounted, minimum footprint
pcb mounted, pad area as in fig:1
MIN.
-
-
TYP. MAX. UNIT
156
70
-
-
K/W
K/W
July 1998
1
Rev 1.400

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