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NZT660 Datasheet

  • NZT660

  • PNP Low Saturation Transistor

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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NZT660/NZT660A
July 1998
NZT660 / NZT660A
C
E
B
C
SOT-223
PNP Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25擄C unless otherwise noted
NZT660/NZT660A
60
80
5
3
-55 to +150
Units
V
V
V
A
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150擄C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25擄C unless otherwise noted
Max
Characteristic
NZT660/NZT660A
P
D
R
胃JA
Total Device Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2
62.5
W
擄C/W
Units
漏
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Nzt660.lwpPrPA 7/10/98 revC

NZT660 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 3A

  • 60V

  • 550mV @ 300mA，3A

  • -

  • 100 @ 500mA，2V

  • 2W

  • 75MHz

  • 表面貼裝

  • TO-261-4，TO-261AA

  • SOT-223-3

  • 帶卷 (TR)

  • NZT660-NDNZT660TR

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