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NX5315EH-AZ Datasheet

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  • NECs 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR F...

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PRELIMINARY DATA SHEET
NEC始s 1310 nm InGaAsP MQW FP
LASER DIODE IN CAN PACKAGE
NX5315 SERIES
FOR FTTH PON APPLICATIONS
FEATURES
鈥?OPTICAL OUTPUT POWER:
P
o
= 13.0 mW
鈥?LOW THRESHOLD CURRENT :
I
th
= 6 mA
鈥?DIFFERENTIAL EFFICIENCY:
畏
d
=0.5 W/A
鈥?WIDE OPERATING TEMPERATURE RANGE:
T
C
= -40 to +85擄C
鈥?InGaAs MONITOR PIN-PD
鈥?CAN PACKAGE:
酶5.6 mm
鈥?FOCAL POINT:
6.35 mm
APPLICATIONS
鈥?FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 Km) system
DESCRIPTION
NEC's NX5315 Series is a 1 310 nm Multiple Quantum Well
(MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs
monitor PIN-PD. These devices are designed for application
up to 1.25 Gb/s.
California Eastern Laboratories

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