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NE71300-L Datasheet

  • NE71300-L

  • L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

  • 16頁(yè)

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
GaAs MES FET
NE713
L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL GaAs MES FET
FEATURES
x
Low noise figure
NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz
x
High associated gain
Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz
x
Gate width: Wg = 280
P
m
x
Gate Length: Lg = 0.3
P
m
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
NE71300-N
NE71300-M
NE71300-L
NE71383B
I
DSS
(mA)
20 to 50
50 to 80
80 to 120
20 to 120
83B
PACKAGE CODE
00 (CHIP)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 擄C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Drain Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
tot
T
ch
T
stg
5.0
冒5.0
冒6.0
I
DSS
270
400
175
冒65
to +175
V
V
V
mA
mW
mW
擄C
擄C
[NE71383B]
[NE71300]
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T
A
= 25 擄C)
CHARACTERISTIC
Drain to Source Voltage
Drain Current
Input Power
SYMBOL
V
DS
I
D
P
in
MIN.
TYP.
3
10
MAX.
4
30
15
Unit
V
mA
dBm
Document No. P11691EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published February 1997 N
Printed in Japan
漏
1996

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