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MS1022 Datasheet

  • MS1022

  • PNP RF Amplifier Transistor Surface Mount

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  • LRC

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
PNP RF Amplifier Transistor
Surface Mount
COLLECTOR
3
MSA1022鈥揅T1
3
2
1
CASE
318D鈥?3, STYLE1
SC鈥?9
2
BASE
1
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 擄C)
Rating
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Symbol
P
D
T
J
T
stg
Value
鈥?0
鈥?0
鈥?.0
鈥?0
Max
200
150
-55 ~ +150
Symbo
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
f
T
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Unit
mW
擄C
擄C
lMin
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
110
150
Max
鈥?.1
鈥?00
鈥?0
220
鈥?/div>
Unit
碌A(chǔ)dc
碌A(chǔ)dc
碌A(chǔ)dc
鈥?/div>
MHz
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Characteristic
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 鈥?0 Vdc, I
E
= 0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(V
CE
= 鈥?0 Vdc, I
B
= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(V
EB
= 鈥?.0 Vdc, I
C
= 0)
DC Current Gain (1)
(V
CE
= 鈥?0 Vdc, I
C
= 鈥?.0 mAdc)
Current-Gain - Bandwidth Product
(V
CB
= 鈥?0 Vdc, I
E
= 1.0 mAdc)
1. Pulse Test: Pulse Width < 300
碌s,
D.C. < 2%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 擄C)
DEVICE MARKING
Marking Symbol
ECX
The 鈥淴鈥?represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month
in which the part was manufactured.
N1鈥?/1

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    MICROSEMI
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    MICROSEMI ...
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    Advanced Power Technology [RF & MICROWAVE TRANSISTORS H...
    ADPOW
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    ADPOW
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    10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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