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MRF10350 Datasheet

  • MRF10350

  • MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON

  • 4頁

  • MA-COM

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF10350/D
The RF Line
Microwave Pulse
Power Transistor
Designed for 1025鈥?150 MHz pulse common base amplifier applications
such as TCAS, TACAN and Mode鈥揝 transmitters.
鈥?/div>
Guaranteed Performance @ 1090 MHz
Output Power = 350 Watts Peak
Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)
鈥?/div>
100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR
鈥?/div>
Hermetically Sealed Package
鈥?/div>
Silicon Nitride Passivated
鈥?/div>
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal
Migration
鈥?/div>
Internal Input and Output Matching
鈥?/div>
Characterized using Mode鈥揝 Pulse Format
MRF10350
350 W (PEAK)
1025鈥?150 MHz
MICROWAVE POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 355E鈥?1, STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Emitter鈥揃ase Voltage
Collector Current 鈥?Peak (1)
Total Device Dissipation @ T
C
= 25擄C (1), (2)
Derate above 25擄C
Storage Temperature Range
Junction Temperature
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
stg
T
J
Value
65
65
3.5
31
1590
9.1
鈥?5 to +200
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case (3)
Symbol
R
胃JC
Max
0.11
Unit
擄C/W
NOTES:
1. Under pulse RF operating conditions.
2. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the devices are operated as pulsed RF
amplifiers.
3. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques. (Worst Case
胃
JC
measured
using Mode鈥揝 pulse train, 128
碌s
burst 0.5
碌s
on, 0.5
碌s
off repeating at 6.4 ms interval.)
REV 1
1

MRF10350 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨900Factory查看交期

  • 20 : ￥4,164.99350托盤

  • -

  • 托盤

  • 在售

  • NPN

  • 65V

  • -

  • -

  • 9dB

  • 350W

  • 20 @ 5A，5V

  • 31A

  • 200°C（TJ）

  • 底座安裝

  • 355E-01

  • 355E-01，1 型

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Bel Fuse Inc. [Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series]
    BEL
  • 英文版
    N.CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 400MHz 10.6dB ~ 14dB 5W 211-07,...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N.CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28VDC 25mA 400MHz 16dB 15W 211-07, Style...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28VDC 25mA 150MHz ~ 400MHz 7.7dB ~ 16dB ...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    Advanced Semiconductor [N-Channel Enhancement Mode VHF POWE...
    ASI
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28V 250mA 30MHz ~ 150MHz 6dB ~ 15dB 150W...

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