鈥?/div>
50
nAdc
Vdc
Gate Reverse Current (VGS = 15 Vdc, VDS = 0)
ON CHARACTERISTICS(2)
Zero鈥揋ate鈥揤oltage Drain Current
(VDS = Maximum Rating, VGS = 0)
Gate Threshold Voltage
(ID = 1.0 mAdc, VDS = VGS)
Drain鈥揝ource On鈥揤oltage (VGS = 10 Vdc)
(ID = 0.5 Adc)
MPF930
MPF960
MPF990
MPF930
MPF960
MPF990
MPF930
MPF960
MPF990
IDSS
VGS(Th)
VDS(on)
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.4
0.6
0.6
0.9
1.2
1.2
2.2
2.8
2.8
0.7
0.8
1.2
1.4
1.7
2.4
3.0
3.5
4.8
鈥?/div>
1.0
鈥?/div>
鈥?/div>
10
3.5
碌A(chǔ)dc
Vdc
Vdc
(ID = 1.0 Adc)
(ID = 2.0 Adc)
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.
2. Pulse Test: Pulse Width
300
碌s,
Duty Cycle
2.0%.
v
v
REV 2
Motorola Small鈥揝ignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
漏
Motorola, Inc. 1997
1
MPF960 產(chǎn)品屬性
1,000
分離式半導體產(chǎn)品
FET - 單
-
MOSFET N 通道，金屬氧化物
標準型
60V
2A
1.7 歐姆 @ 1A，10V
3.5V @ 1mA
-
70pF @ 25V
1W
通孔
TO-226-3、TO-92-3 標準主體
TO-92-3
散裝
MPF960OS
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型號
版本
描述
廠商
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TMOS Switching
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TMOS Switching
MOTOROLA [...
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TMOS Switching
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TMOS Switching
MOTOROLA [...
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TMOS Switching
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英文版
TMOS Switching
MOTOROLA [...
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英文版
暫無描述
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英文版
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 35V, 1-Elemen...
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英文版
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 35V, 1-Elemen...
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英文版
2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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英文版
2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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N-Channel Enhancement MOSFET
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