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M29W512B90NZ1T Datasheet

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M29W512B
512 Kbit (64Kb x8, Bulk)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
s
SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
ACCESS TIME: 55ns
PROGRAMMING TIME
鈥?10碌s per Byte typical
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
鈥?Embedded Byte Program algorithm
鈥?Embedded Chip Erase algorithm
鈥?Status Register Polling and Toggle Bits
TSOP32 (NZ)
8 x 14mm
PLCC32 (K)
s
s
s
s
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
鈥?Faster Production/Batch Programming
LOW POWER CONSUMPTION
鈥?Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
20 YEARS DATA RETENTION
鈥?Defectivity below 1 ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
鈥?Manufacturer Code: 20h
鈥?Device Code: 27h
VCC
s
s
s
Figure 1. Logic Diagram
s
16
A0-A15
W
E
G
M29W512B
8
DQ0-DQ7
VSS
AI02743
March 2000
1/18

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