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M29F512B70NZ1T Datasheet

  • M29F512B70NZ1T

  • 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory

  • 138.07KB

  • 16頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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M29F512B
512 Kbit (64Kb x8, Bulk) Single Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
SINGLE 5V鹵10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
ACCESS TIME: 45ns
PROGRAMMING TIME
鈥?8碌s per Byte typical
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
鈥?Embedded Byte Program algorithm
鈥?Embedded Chip Erase algorithm
鈥?Status Register Polling and Toggle Bits
TSOP32 (NZ)
8 x 14mm
PLCC32 (K)
s
s
s
s
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
鈥?Faster Production/Batch Programming
LOW POWER CONSUMPTION
鈥?Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
20 YEARS DATA RETENTION
鈥?Defectivity below 1 ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
鈥?Manufacturer Code: 20h
鈥?Device Code: 24h
VCC
s
s
s
Figure 1. Logic Diagram
s
16
A0-A15
W
E
G
M29F512B
8
DQ0-DQ7
VSS
AI02739
July 1999
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
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