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M27128AF1 Datasheet

  • M27128AF1

  • NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM

  • 109.57KB

  • 10頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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M27128A
NMOS 128K (16K x 8) UV EPROM
FAST ACCESS TIME: 200ns
EXTENDED TEMPERATURE RANGE
SINGLE 5 V SUPPLY VOLTAGE
LOW STANDBY CURRENT: 40mA max
TTL COMPATIBLE DURING READ and
PROGRAM
FAST PROGRAMMING ALGORITHM
ELECTRONIC SIGNATURE
PROGRAMMING VOLTAGE: 12V
28
1
FDIP28W (F)
DESCRIPTION
The M27128A is a 131,072 bit UV erasable and
electrically programmable memory EPROM. It is
organized as 16,384 words by 8 bits.
The M27128A is housed in a 28 Pin Window Ce-
ramic Frit-Seal Dual-in-Line package. The trans-
parent lid allows the user to expose the chip to
ultraviolet light to erase the bit pattern. A new
pattern can then be written to the device by follow-
ing the programming procedure.
Figure 1. Logic Diagram
VCC
VPP
14
A0-A13
8
Q0-Q7
Table 1. Signal Names
A0 - A13
Q0 - Q7
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
Address Inputs
Data Outputs
Chip Enable
Output Enable
Program
Program Supply
Supply Voltage
Ground
P
E
G
M27128A
VSS
AI00769B
March 1995
1/10

M27128AF1 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • 128 Kbit

  • 16 Kbit x 8

  • Parallel

  • 75 mA

  • 12.5 V

  • 5 V

  • + 70 C

  • Through Hole

  • FDIP-28W

  • 250 ns

  • 0 C

  • 100 ns

  • Tube

  • 13

  • 4.75 V

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