GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Chip
position
LD 261
2.4
2.1
1.9
1.7
0.5
0.4
2.7
2.5
0.25
0.15
0.7
0.6
0 ... 5
0.4 A
A
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
1.4
1.0
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.1
1.5
2.54 mm spacing
3.5
3.0
3.6
3.2
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
Approx. weight 0.03 g
GEO06021
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Geh盲usegleich mit BPX 81
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken f眉r Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
鈥淢essen/Steuern/Regeln鈥?/div>
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Available in bins
q
Same package as BPX 81
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
LD 261
LD 261-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Q62703-Q67
Geh盲use
Package
Leiterbandgeh盲use, klares Epoxy-Gie脽harz, linsenf枚r-
mig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
鈥欌€?, Kathodenkennzeich-
nung: Nase am L枚tspie脽
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
鈥欌€?, cathode marking: projec-
tion at solder lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
feo06021
1
2
3
4
