GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
酶0.45
2.54 mm
spacing
Chip position
酶4.3
酶4.1
1
0.9 .1
1.1 .9
0
2.7
1
14.5
12.5
3.6
3.0
酶5.5
酶5.2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
q
q
q
q
q
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
q
q
q
q
q
Schmelzepitaxieverfahren
Kathode galvanisch mit Geh盲useboden
verbunden
Hohe Zuverl盲ssigkeit
Gro脽er 脰ffnungskegel
Geh盲usegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
liquid phase epitaxy process
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Wide beam
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Ton眉bertragungen
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und
Applications
q
IR remote control and sound transmission
q
Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Geh盲use
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gie脽harz, linsenf枚rmig im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
鈥欌€?
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
鈥欌€?
Semiconductor Group
1
1998-07-15
fet06625