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KSH350 Datasheet

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KSH350
KSH350
High Voltage Power Transistors
D-PAK for Surface Mount Applications
鈥?Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
鈥?Straight Lead (I-PAK, 鈥? I鈥?Suffix)
1
D-PAK
1.Base
1
I-PAK
3.Emitter
2.Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation (T
C
= 25擄C)
Collector Dissipation (T
a
= 25擄C)
Junction Temperature
Parameter
Value
- 300
- 300
-3
- 0.5
- 0.75
15
1.56
150
Units
V
V
V
A
A
W
W
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CEO
I
EBO
h
FE
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
Test Condition
I
C
= -1mA, I
B
= 0
V
CB
= -300V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
= 0
V
CE
= -10V, I
C
= -50mA
30
Min.
-300
Max.
-0.1
-0.1
240
Units
V
mA
mA
* Pulse Test: PW鈮?00碌s, Duty Cycle鈮?%
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, October 2002

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