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KSD569 Datasheet

  • KSD569

  • Low Frequency Power Amplifier

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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KSD568/569
KSD568/569
Low Frequency Power Amplifier
鈥?Low Speed Switching Industrial Use
鈥?Complement to KSB707/708
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Collector Dissipation (T
a
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
: KSD568
: KSD569
Parameter
Value
100
60
80
7
7
15
3.5
40
1.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
A
A
A
W
W
擄C
擄C
* PW鈮?00碌s, Duty Cycle鈮?0%
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
Parameter
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
*Base-Emitter Saturation Voltage
Test Condition
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 1V, I
C
= 3A
V
CE
= 1V, I
C
= 5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
40
20
Min.
Max.
10
10
200
0.5
1.5
V
V
Units
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
* Pulse Test: PW鈮?50碌s, Duty Cycle鈮?%
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
R
40 ~ 80
O
60 ~ 120
Y
100 ~ 200
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

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