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KSD362 Datasheet

  • KSD362

  • B/W TV Horizontal Deflection Output

  • 4頁(yè)

  • FAIRCHILD

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KSD362
KSD362
B/W TV Horizontal Deflection Output
鈥?Collector-Base Voltage : V
CBO
=150V
鈥?Collector Current : I
C
=5A
鈥?Collector Dissipation : P
C
=40W(T
C
=25擄C)
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
150
70
8
5
40
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 2mA, R
BE
=
鈭?/div>
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 5A, I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
10
20
Min.
150
70
8
20
140
1
1.5
V
V
MHz
Typ.
Max.
Units
V
V
V
碌A(chǔ)
h
FE
Classification
Classification
h
FE
N
20 ~ 50
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

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  • 型號(hào)
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  • 英文版
  • 英文版
    B/W TV Horizontal Deflection Output
    FAIRCHILD
  • 英文版
    NPN (B/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT)
    SAMSUNG
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    B/W TV Horizontal Deflection Output
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    NPN (B/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT)
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    B/W TV Horizontal Deflection Output
    FAIRCHILD
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    B/W TV Horizontal Deflection Output
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    暫無(wú)描述
    FAIRCHILD
  • 英文版
    暫無(wú)描述
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, ...
    SAMSUNG
  • 英文版
    暫無(wú)描述
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element,...
    FAIRCHILD
  • 英文版
    NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED,...
    FAIRCHILD

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