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KSC5367 Datasheet

  • KSC5367

  • High Voltage and High Reliability

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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KSC5367
KSC5367
High Voltage and High Reliability
鈥?High speed Switching
鈥?Wide Safe Operating Area
鈥?High Collector Base Voltage
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
*Base Current (Pulse)
Power Dissipation(Tc=25)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
1600
800
12
3
6
2
4
80
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle鈮?0%
Thermal Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
R
胃jc
R
胃ja
Thermal Resistance
Characteristics
Junction to Case
Junction to Ambient
Rating
1.56
62.5
Unit
擄C/W
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001

KSC5367 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • NPN

  • 800 V

  • 12 V

  • 3 A

  • 12

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • - 65 C

  • 80000 mW

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