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KSC2682 Datasheet

  • KSC2682

  • Audio Frequency Power Amplifier

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  • FAIRCHILD

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KSC2682
KSC2682
Audio Frequency Power Amplifier
鈥?Complement to KSA1142
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation (T
a
=25擄C)
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
180
180
5
100
1.2
8
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
W
W
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
NF
Parameter
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
Test Condition
V
CB
= 180V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CE
= 10V, I
C
= 20mA
V
CB
= 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA
R
S
= 10K鈩? f = 1kHz
90
100
190
200
0.12
0.8
200
3.2
4
5.0
Min.
Typ.
Max.
1.0
1.0
320
0.5
1.5
V
V
MHz
pF
dB
Units
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
* Pulse Test: PW鈮?50碌s, Duty Cycle鈮?%
h
FE
Classificntion
Classification
h
FE2
O
100 ~ 200
Y
160 ~ 320
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

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