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KSC2310 Datasheet

  • KSC2310

  • High Voltage Power Amplifier

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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KSC2310
KSC2310
High Voltage Power Amplifier
鈥?Collector-Base Voltage : V
CBO
=200V
鈥?Current Gain Bandwidth Product : f
T
=100MHz
1
TO-92L
1. Emitter 2. Collector 3. Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
200
150
5
50
800
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
ob
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
I
C
=100碌A(chǔ), I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=0
I
E
=100碌A(chǔ), I
C
=0
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=10mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=30V, I
C
=10mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
100
3.5
5
40
Min.
200
150
5
0.1
240
0.5
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Units
V
V
V
碌A(chǔ)
h
FE
Classification
Classification
h
FE
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002

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