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KSA1182Y Datasheet

  • KSA1182Y

  • Low Frequency Power Amplifier

  • 4頁(yè)

  • FAIRCHILD

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KSA1182
KSA1182
Low Frequency Power Amplifier
鈥?Complement to KSC2859
3
2
1
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
-35
-30
-5
-500
150
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
V
CB
= -35V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -6V, I
C
= -400mA
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
V
CE
= -1V , I
C
= -100mA
V
CE
= -6V, I
C
= -20mA
V
CB
= -6V, I
E
= 0, f=1MHz
70
25
-0.1
-0.8
200
13
Min.
Typ.
Max.
-0.1
-0.1
240
-0.25
-1.0
V
V
MHz
pF
Units
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Marking
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
F 10
h
FE
grade
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002

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