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KOM2100BF Datasheet

  • KOM2100BF

  • 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photod...

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KOM 2100 B
KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet f眉r Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
q
q
q
q
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
Kathode = Chipunterseite
Geeignet f眉r Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
SMT-f盲hig
q
q
q
q
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
Short switching time (typ. 13 ns)
Cathode = back contact
Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
Suitable for SMT
Anwendungen
q
Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Applications
q
General-purpose, e.g. encoders
Typ
Type
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-K35
Q62702-K34
Geh盲use
Package
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyvergu脽
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
Semiconductor Group
469
10.95
feof6529
feo06529

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