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IRLZ34 Datasheet

  • IRLZ34

  • N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

  • 7頁(yè)

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
Logic level TrenchMOS
TM
transistor
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope using 鈥檛rench鈥?/div>
technology. The device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protection up to 2kV. It is intended for
use in switched mode power supplies
and general purpose switching
applications.
IRLZ34N
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 10 V
MAX.
55
30
68
175
35
UNIT
V
A
W
藲C
m鈩?/div>
PINNING - TO220AB
PIN
1
2
3
tab
gate
drain
source
drain
DESCRIPTION
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
d
g
s
1 23
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Total power dissipation
Operating junction and
storage temperature
CONDITIONS
T
j
= 25 藲C to 175藲C
T
j
= 25 藲C to 175藲C; R
GS
= 20 k鈩?/div>
T
mb
= 25 藲C
T
mb
= 100 藲C
T
mb
= 25 藲C
T
mb
= 25 藲C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
55
55
鹵
13
30
21
110
68
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
藲C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
R
th j-a
Thermal resistance junction
to mounting base
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
TYP.
-
60
MAX.
2.2
-
UNIT
K/W
K/W
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
V
C
Electrostatic discharge
capacitor voltage, all pins
CONDITIONS
Human body model (100 pF, 1.5 k鈩?
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
February 1999
1
Rev 1.000

IRLZ34 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 60V

  • 30A

  • 50 毫歐 @ 18A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 35nC @ 5V

  • 1600pF @ 25V

  • 88W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRLZ34

IRLZ34相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
    IRF

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