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IRFZ44VZPBF Datasheet

  • IRFZ44VZPBF

  • HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = ...

  • 13頁

  • IRF

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PD - 95947
AUTOMOTIVE MOSFET
Features
l
l
l
l
l
l
IRFZ44VZPbF
IRFZ44VZSPbF
IRFZ44VZLPbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175擄C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 12m鈩?/div>
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET
廬
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low on-
resistance per silicon area. Additional features of
this design are a 175擄C junction operating tempera-
ture, fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make
this design an extremely efficient and reliable device
for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.
G
S
I
D
= 57A
TO-220AB
IRFZ44VZPbF
TO-262
D
2
Pak
IRFZ44VZSPbF IRFZ44VZLPbF
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
I
D
@ T
C
= 100擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
I
DM
Max.
57
40
230
92
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
聶
P
D
@T
C
= 25擄C Power Dissipation
Linear Derating Factor
V
GS
Gate-to-Source Voltage
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
E
AS
(Tested )
d
0.61
鹵 20
I
AR
E
AR
T
J
T
STG
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
脙聶
h
73
110
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
g
i
擄C
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
y
y
Typ.
Max.
1.64
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
i
i
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
www.irf.com
j
1
11/16/04

IRFZ44VZPBF 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 60V

  • 57A

  • 12 毫歐 @ 34A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 65nC @ 10V

  • 1690pF @ 25V

  • 92W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRFZ44VZPBF

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 7.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFETR POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF [Inter...
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF [Inter...
  • 英文版
    (166.12 k)
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? POWER MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    Power Field Effect Transistors
    MOTOROLA

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