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IRFW710B Datasheet

  • IRFW710B

  • 400V N-Channel MOSFET

  • 650.25KB

  • 9頁

  • FAIRCHILD

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IRFW710B / IRFI710B
November 2001
IRFW710B / IRFI710B
400V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild鈥檚 proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies and
electronic lamp ballasts based on half bridge.
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
2.0A, 400V, R
DS(on)
= 3.4鈩?@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 7.7 nC)
Low Crss ( typical 6.0 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
D
D
!
鈼?/div>
鈼€
鈻?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
G
!
G
S
D
2
-PAK
IRFW Series
G D S
I
2
-PAK
IRFI Series
!
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
C
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
- Continuous (T
C
= 25擄C)
Drain Current
- Continuous (T
C
= 100擄C)
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
IRFW710B / IRFI710B
400
2.0
1.3
6.0
鹵
30
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/擄C
擄C
擄C
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T
A
= 25擄C) *
100
2.0
3.6
5.5
3.13
36
0.29
-55 to +150
300
T
J
, T
stg
T
L
Power Dissipation (T
C
= 25擄C)
- Derate above 25擄C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ
--
--
--
Max
3.44
40
62.5
Units
擄C/W
擄C/W
擄C/W
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    400V N-Channel MOSFET
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