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IRFSL38N20DPBF Datasheet

  • IRFSL38N20DPBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 11頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PROVISIONAL
PD - 97001A
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
l
Plasma Display Panel
l
Lead-Free
IRFB38N20DPbF
IRFS38N20DPbF
IRFSL38N20DPbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
Key Parameters
V
DS
V
DS (Avalanche)
min.
R
DS(ON)
max @ 10V
T
J
max
200
260
54
175
V
V
m
:
擄C
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
TO-220AB
IRFB38N20DPbF
D
2
Pak
IRFS38N20DPbF
TO-262
IRFSL38N20DPbF
Max.
38*
27*
180
3.8
230*
1.5*
鹵 30
9.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
聡
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
聡
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
聡
Power Dissipation
聡
Linear Derating Factor
聡
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw聠
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
聠
Junction-to-Ambient聠
Junction-to-Ambient聡
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.47*
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
* R
胃JC
(end of life) for D
2
Pak and TO-262 = 0.50擄C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature
cycles from -55 to 150擄C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.
Notes
聛
through
聡
are on page 11
www.irf.com
1
09/09/05

IRFSL38N20DPBF 產(chǎn)品屬性

  • 29 ns

  • 16 ns

  • 60 nC V @ 10

  • 2900 pF V @ 25

  • 通孔

  • 4.69mm

  • TO-262

  • 10.54 x 4.69 x 10.54mm

  • 3

  • -55 °C

  • 3800 mW

  • ±30 V

  • 200 V

  • 0.054

  • 38 A

  • +175 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N

  • 單

  • 10.54mm

  • 10.54mm

IRFSL38N20DPBF相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10.2A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20.7A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    500V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD

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