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IRFR3518 Datasheet

  • IRFR3518

  • HEXFET Power MOSFET

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  • IRF

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PD - 94523
IRFR3518
IRFU3518
Applications
l
High frequency DC-DC converters
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
80V
R
DS(on)
max
29mW
I
D
30A
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR3518
I-Pak
IRFU3518
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
dv/dt
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
80
鹵 20
38
27
150
110
0.71
5.2
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
V
A
W
W/擄C
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
聠
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.4
40
110
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聠
are on page 10
www.irf.com
1
09/23/02

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