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IRF630S Datasheet

  • IRF630S

  • N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET

  • 87.69KB

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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IRF630S
N - CHANNEL 200V - 0.35鈩?- 9A - D
2
PAK
MESH OVERLAY鈩?MOSFET
TYPE
IRF630S
s
s
s
s
s
s
V
DSS
200 V
R
DS(on)
< 0.40
鈩?/div>
I
D
9 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.35
鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT
SALES OFFICE
3
1
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the
company鈥檚 consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY鈩?process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT SWITCHING
s
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
s
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
D
2
PAK
TO-263
(suffix 鈥漈4鈥?
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
鈥?/div>
)
P
tot
dv/dt(
1
)
T
s tg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
G ate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
200
200
20
9
5.7
36
70
0.56
5
-65 to 150
150
(
1
) I
SD
鈮?/div>
9A, di/dt
鈮?/div>
300 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, Tj
鈮?/div>
T
JMAX
Un it
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V/ns
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
December 1998
1/8

IRF630S 產(chǎn)品屬性

  • IRF630SPBF

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • 標準型

  • 200V

  • 9A

  • 400 毫歐 @ 5.4A,10V

  • 4V @ 250µA

  • 43nC @ 10V

  • 800pF @ 25V

  • 3W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

  • D2PAK

  • 管件

IRF630S相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 1.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET
    TRSYS
  • 英文版
    5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRON...

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