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IRF5851PBF Datasheet

  • IRF5851PBF

  • HEXFET㈢ Power MOSFET

  • IRF [International Rectifier]

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

IRF5851PBF 產(chǎn)品屬性

  • 15（N 溝道）ns，31（P 溝道）ns

  • 6.6（N 溝道）ns，8.3（P 溝道）ns

  • 3.6 nC @ 4.5 V（P 溝道），4 nC @ 4.5 V（N 溝道）

  • 320 pF @ 15 V（P 溝道），400 pF @ 15 V（N 溝道）

  • 表面貼裝

  • 1.5mm

  • TSOP

  • 3 x 1.5 x 0.9mm

  • 6

  • -55 °C

  • 0.96 W

  • ±12 V

  • 20 V

  • 0.09（N 溝道），0.135（P 溝道）

  • 2.2（P 溝道）A，2.7（N 溝道）A

  • +150 °C

  • 2

  • 功率 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N，P

  • 雙

  • 3mm

  • 0.9mm

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