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IRF5806 Datasheet

  • IRF5806

  • Power MOSFET(Vdss=-20V)

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 93997
IRF5806
HEXFET
廬
Power MOSFET
q
q
q
q
Trench Technology
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Available in Tape & Reel
V
DSS
-20V
R
DS(on)
max
86m
鈩?/div>
@V
GS
= -4.5V
147m
鈩?/div>
@V
GS
= -2.5V
I
D
-
4.0A
-
3.0A
Description
New trench HEXFET
廬
Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the
ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in battery and load management applications.
D
1
6
A
D
D
2
5
D
G
3
4
S
T o p V ie w
Micro6鈩?/div>
鈩?/div>
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
V
GS
T
J
, T
STG
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
聛
Maximum Power Dissipation
聝
Maximum Power Dissipation
聝
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
-20
-4.0
-3.3
-16.5
2.0
1.3
0.02
鹵 20
-55 to + 150
Units
V
A
W
W
W/擄C
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Max.
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
10/04/00

IRF5806 產(chǎn)品屬性

  • 100

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 20V

  • 4A

  • 86 毫歐 @ 4A，4.5V

  • 1.2V @ 250µA

  • 11.4nC @ 4.5V

  • 594pF @ 15V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

  • Micro6?（TSOP-6）

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
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    SUTEX [Sup...
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    SUPERTEX
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