IRF5805 Datasheet

IC型號：
IRF5805
PDF描述：
Power MOSFET(Vdss=-30V)
文件大小：
127.87KB
PDF頁數(shù)：
9頁
芯片廠家：
IRF

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PD -94029

IRF5805

HEXFET

廬

Power MOSFET

Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Surface Mount

Available in Tape & Reel

Low Gate Charge

DSS

-30V

DS(on)

max

0.098@V

= -10V

0.165@V

= -4.5V

3.8A

3.0A

Description

These P-channel MOSFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit provides the designer with an extremely efficient

device for use in battery and load management

applications.

The TSOP-6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET

廬

power MOSFET with R

DS(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

ideal for applications where printed circuit board space

is at a premium. It's unique thermal design and R

DS(on)

reduction enables a current-handling increase of nearly

300% compared to the SOT-23.

T o p V ie w

TSOP-6

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 70擄C

= 25擄C

= 70擄C

, T

STG

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ -10V

Continuous Drain Current, V

@ -10V

Pulsed Drain Current

聛

Maximum Power Dissipation

聝

Maximum Power Dissipation

聝

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Junction and Storage Temperature Range

Max.

-30

-3.8

-3.0

-15

1.28

0.02

鹵 20

-55 to + 150

Units

W/擄C

擄C

Thermal Resistance

Parameter

胃JA

Maximum Junction-to-Ambient

聝

Max.

62.5

Units

擄C/W

www.irf.com

11/6/00

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
價格
停產(chǎn)
系列
HEXFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
98 毫歐 @ 3.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
511 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
Micro6?（TSOP-6）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRF5D

英文版

Analog IC

ETC

IRF5D
IRF5S

英文版

Analog IC

ETC

IRF5S
IRF500

英文版

50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...

ETC

IRF500
IRF500

英文版

50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...

ETC [ETC]

IRF500
IRF510

英文版

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF510
IRF510

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)

IRF

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

IRF510
IRF510

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)

IRF [Inter...

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD ...

IRF510
IRF510

英文版

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

SUTEX [Sup...

IRF510
IRF510

英文版

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET

INTERSIL [...

IRF510
IRF511

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF511
IRF511

英文版

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

IRF511
IRF511

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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

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IRF511
IRF511

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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

SUTEX [Sup...

IRF511
IRF512

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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

IRF512
IRF512

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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF512
IRF512

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD ...

IRF512
IRF513

英文版

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V

FAIRCHILD

IRF513

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