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IRF3711 Datasheet

  • IRF3711

  • Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)

  • 247.11KB

  • 11頁

  • IRF

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PD- 94062B
SMPS MOSFET
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Server Processor Power Synchronous FET
Optimized for Synchronous Buck
Converters Including Capacitive Induced
Turn-on Immunity
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
T
J
, T
STG
IRF3711
IRF3711S
IRF3711L
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
20V
R
DS(on)
max
6.0m鈩?/div>
I
D
110A
TO-220AB
IRF3711
D
2
Pak
IRF3711S
TO-262
IRF3711L
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
鹵 20
110
69
440
120
3.1
0.96
-55 to + 150
Units
V
V
A
W
W
W/擄C
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.04
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
Notes
through
are on page 11
www.irf.com
1
11/15/01

IRF3711 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 110A

  • 6 毫歐 @ 15A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 44nC @ 4.5V

  • 2980pF @ 10V

  • 3.1W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRF3711

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Inductors
    VISHAY
  • 英文版
    Inductors
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    INTERSIL [...
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