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IRF3707ZCLPBF Datasheet

  • IRF3707ZCLPBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 11頁

  • IRF

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IRF3707ZCSPbF
IRF3707ZCLPbF
Applications
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l
Lead-Free
PD - 95464
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
9.5m
:
Qg
9.7nC
Benefits
l
Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D
2
Pak
IRF3707ZCS
TO-262
IRF3707ZCL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
C
= 100擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Max.
30
Units
V
A
c
h
42
h
59
230
57
28
鹵 20
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
W
W/擄C
擄C
0.38
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
10 lbf in (1.1 N m)
x
x
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Typ.
Max.
2.653
40
Units
擄C/W
g
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Notes
聛
through
聠
are on page 11
www.irf.com
1
6/29/04

IRF3707ZCLPBF 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 59A

  • 9.5 毫歐 @ 21A，10V

  • 2.25V @ 25µA

  • 15nC @ 4.5V

  • 1210pF @ 15V

  • 57W

  • 通孔

  • TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

  • TO-262

  • 管件

  • *IRF3707ZCLPBF

IRF3707ZCLPBF相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Inductors
    VISHAY
  • 英文版
    Inductors
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Pow...
    INTERSIL [...
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
    FAIRCHILD
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    SAMSUNG
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    SAMSUNG [S...
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    INTERSIL [...
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    INTERSIL
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