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IR2118 Datasheet

  • IR2118

  • SINGLE CHANNEL DRIVER

  • 232.58KB

  • 7頁(yè)

  • IRF

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Data Sheet No. PD-6.041C
IR2118
SINGLE CHANNEL DRIVER
Features
n
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
n
Gate drive supply range from 10 to 20V
n
Undervoltage lockout
n
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
n
Output out of phase with input
Product Summary
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
on/off
(typ.)
600V max.
200 mA / 420 mA
10 - 20V
125 & 105 ns
Description
The IR2118 is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and
latch immune CMOS technologies enable rugge-
dized monolithic construction. The logic input is
compatible with standard CMOS outputs. The out-
put driver features a high pulse current buffer stage
designed for minimum cross-conduction. The float-
ing channel can be used to drive an N-channel power
MOSFET or IGBT in the high or low side configura-
tion which operates up to 600 volts.
Packages
Typical Connection
up to 600V
V
CC
IN
V
CC
IN
COM
V
B
HO
V
S
TO
LOAD
To Order
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS聮
M
ANUAL
B-83

IR2118 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)

  • -

  • 高端

  • 反相

  • 125ns

  • 250mA

  • 1

  • 1

  • 600V

  • 10 V ~ 20 V

  • -40°C ~ 125°C

  • 通孔

  • 8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 8-DIP

  • 管件

  • *IR2118

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