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HYB5116160BSJ-70 Datasheet

  • HYB5116160BSJ-70

  • 1M x 16-Bit Dynamic RAM

  • 24頁

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1M x 16-Bit Dynamic RAM
(4k-Refresh)
HYB5116160BSJ-50/-60/-70
Advanced Information
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1 048 576 words by 16-bit organization
0 to 70 擄C operating temperature
Performance:
-50
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tPC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Fast page mode cycle time
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
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Single + 5 V (鹵 10 %) supply
Low power dissipation
max. 550 active mW (-50 version)
max. 495 active mW (-60 version)
max. 440 active mW (-70 version)
11 mW standby (TTL)
5.5. mW standby (MOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh
and self refresh
Fast page mode capability
2 CAS / 1 WE
All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible
4096 refresh cycles/64 ms
Plastic Package:
P-SOJ-42-1 400 mil
Semiconductor Group
1
1.96

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