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HYB3117800BSJ-50 Datasheet

  • HYB3117800BSJ-50

  • 2M x 8-Bit Dynamic RAM

  • 26頁

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2M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3117800BSJ-50/-60/-70
Advanced Information
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2 097 152 words by 8-bit organization
0 to 70 擄C operating temperature
Performance:
-50
tRAC
tCAC
tAA
tRC
tPC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Fast page mode cycle time
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
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Single + 3.3 V (鹵 0.3V) supply
Low power dissipation
max. 432 active mW (-50 version)
max. 396 active mW (-60 version)
max. 360 active mW (-70 version)
7.2 mW standby (LV-TTL)
3.6 mW standby (CMOS)
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
self refresh and test mode
Fast page mode capability
All inputs, outputs and clocks fully LVTTL-compatible
2048 refresh cycles / 32 ms
Plastic Package:
P-SOJ-28-3 400 mil
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Semiconductor Group
1
1.96

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