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HYB3116160BST-60 Datasheet

  • HYB3116160BST-60

  • 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh

  • 25頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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1M x 16-Bit Dynamic RAM
(1k & 4k -Refresh)
HYB3116160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
HYB3118160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
Advanced Information
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1 048 576 words by 16-bit organization
0 to 70 擄C operating temperature
Performance:
-50
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Fast page mode cycle time
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
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Single + 3.3 V (鹵 0.3 V) supply
Low power dissipation
max. 720 active mW ( HYB3118160BSJ/BST-50)
max. 648 active mW ( HYB3118160BSJ/BST-60)
max. 576 active mW ( HYB3118160BSJ/BST-70)
max. 360 active mW ( HYB3116160BSJ/BST-50)
max. 324 active mW ( HYB3116160BSJ/BST-60)
max. 288 active mW ( HYB3116160BSJ/BST-70)
7.2 mW standby (LV-TTL)
3.6 mW standby (LV-CMOS)
720
碌W
standby for L-version
Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
self refresh
Fast page mode capability
2 CAS / 1 WE
All inputs, outputs and clocks fully LV-TTL-compatible
1024 refresh cycles / 16 ms for HYB 3118160BSJ
4096 refresh cycles / 64 ms for HYB 3116160BSJ
Plastic Package:
P-SOJ-42-1 400 mil
P-TSOPII-50/44-1 400mil
Semiconductor Group
1
1.96

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