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HY62WT08081E-DGC Datasheet

  • HY62WT08081E-DGC

  • HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM

  • 204.59KB

  • 13頁(yè)

  • HYNIX

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HY62WT08081E
Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
32K x8 bit 2.7~5.5V Low Power Slow SRAM
Revision History
Revision No
00
01
History
Initial
Revised
-
Change LL-Part Isb1 Limit @E.T/I.T, 4.5~5.5V
: 15uA => 20uA
Revised
-
Marking Information Change : SOP Type
-
Voh Limit Change : 2.4V => 2.2V @2.7~3.6V
Changed Logo
- HYUNDAI -> hynix
- Marking Information Change
Revised
-
Iccdr Limit Add : 2uA @40擄C
Draft Date
Feb.05.2001
Feb.13.2001
Remark
Preliminary
Final
02
Feb.21.2001
Final
03
Apr.30.2001
Final
04
May.23.2001
Final
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility
for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 04 / May . 2001
Hynix Semiconductor

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