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HRW26 Datasheet

  • HRW26

  • Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying

  • 20.93KB

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  • HITACHI

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ADE-208-155B(Z)
HRW26
Silicon Schottky Barrier Diode
for High Frequency Rectifying
Rev. 2
Nov. 1994
Features
鈥?Low forward voltage drop. (V
F
=0.55V max)
鈥?High reverse voltage. (V
R
=40V max)
Pin Arrangement
1
2
3
Ordering Information
Type No.
HRW26
Laser Mark
HRW26
Package Code
TO-220AB
1
2
3
1 Anode
2 Cathode
3 Anode
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
*
Item
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-Repetitive peak forward surge current
Symbol
V
RRM
I
o
**
I
FSM
***
T
j
T
stg
Value
40
10
70
125
-40 to +125
Unit
V
A
A
擄C
擄C
Junction temperature
Storage temperature
* Per one device
** Square wave, Duty (1/2), Tc=95擄C, Sum of two devices
*** Half sine wave 10msec
Electrical Characteristics
(Ta = 25擄C)
*
Item
Forward voltage
Reverse current
* Per one device
Symbol
V
F
I
R
Min
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
Max
0.55
1.0
Unit
V
mA
Test Condition
I
F
= 4.0 A
V
R
= 40 V

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  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RR...
    HITACHI
  • 英文版
    ETC
  • 英文版
    ETC
  • 英文版
    ETC

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