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HE8807FL Datasheet

  • HE8807FL

  • GaAlAs Infrared Emitting Diodes

  • 5頁

  • HITACHI

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HE8807SG/FL
GaAlAs Infrared Emitting Diodes
Description
The HE8807SG/FL are single heterojunction structure GaAlAs light emitting diodes with a wavelength
of 880 nm.
Features
鈥?/div>
High output, high efficiency
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Narrow spectral width
Sharp radiation directivity (HE8807FL)
Wide radiation directivity (HE8807SG)
High reliability
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25擄C)
Item
Forward current
Reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
I
F
V
R
Topr
Tstg
Rated Value
200
3
鈥?0 to +85
鈥?0 to +100
Units
mA
V
擄C
擄C
245

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