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GS78116AB-10 Datasheet

  • GS78116AB-10

  • 512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM

  • 675.38KB

  • 11頁

  • GSI

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GS78116AB
BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
鈥?Fast access time: 8, 10, 12 ns
鈥?CMOS low power operation: 240/190/170 mA at minimum
cycle time
鈥?Single 3.3 V 鹵 0.3 V power supply
鈥?All inputs and outputs are TTL-compatible
鈥?Fully static operation
鈥?Industrial Temperature Option: 鈥?0擄 to 85擄C
鈥?14 mm x 22 mm, 119-bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array
package
鈥?RoHS-compliant package available
512K x 16
8Mb Asynchronous SRAM
8, 10, 12 ns
3.3 V V
DD
Symbol
A
0
to A
18
DQ
1
to DQ
16
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
Pin Descriptions
Description
Address input
Data input/output
Chip enable input
Write enable input
Output enable input
+3.3 V power supply
Ground
No connect
Description
The GS78116A is a high speed CMOS Static RAM organized
as 524,288-words by 16-bits. Static design eliminates the need
for external clocks or timing strobes. The GS78116A operates
on a single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are
TTL-compatible. The GS78116 is available in a
14 mm x 22 mm BGA package.
Block Diagram
A
0
Address
Input
Buffer
Row
Decoder
Memory Array
A
18
CE
WE
OE
Column
Decoder
Control
I/O Buffer
DQ
1
DQ
16
Rev: 1.04 5/2006
1/11
漏 2003, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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