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GA200HS60S Datasheet

  • GA200HS60S

  • HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK

  • 6頁

  • IRF

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Bulletin I27121 rev. B 07/02
GA200HS60S
"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAK
Features
鈥?Generation 4 IGBT Technology
鈥?Standard speed: optimized for hard switching
operating frequencies up to 1000 Hz
鈥?Very Low Conduction Losses
鈥?Industry standard package
Standard Speed IGBT
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.19V @
V
GE
= 15V, I
C
= 200A
T
J
= 25擄C
Benefits
鈥?Increased operating efficiency
鈥?Direct mounting to heatsink
鈥?Performance optimized as output inverter stage
for TIG welding machines
INT-A-PAK
Absolute Maximum Ratings
Parameters
V
CES
I
C
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
P
D
Collector-to-Emitter Voltage
Continuos Collector Current
Pulsed Collector Current
Peak Switching Current
Gate-to-Emitter Voltage
RMS Isolation Voltage, Any Terminal to Case, t = 1 min
Maximum Power Dissipation
@ T
C
= 25擄C
@ T
C
= 85擄C
@ T
C
= 25擄C
@ T
C
= 110擄C
Max
600
470
200
800
800
鹵 20
2500
830
430
Units
V
A
V
W
www.irf.com
1

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