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FMMV3102 Datasheet

  • FMMV3102

  • SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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SOT23 SILICON PLANAR
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
ISSUE 3 鈥?JANUARY 1998
PIN CONFIGURATION
1
FMMV3102
2
1
PARTMARKING DETAIL
FMMV3102 鈥?4C
3
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
330
-55 to +150
UNIT
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C unless otherwise stated).
PARAMETER
Reverse Breakdown
Voltage
Reverse current
Series Inductance
Diode Capacitance
Temperature
Coefficient
Case Capacitance
SYMBOL
V
BR
MIN.
30
TYP.
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
R
= 10碌A(chǔ)
V
R
= 25V
f=250MHz
I
R
L
S
T
CC
3.0
280
10
nA
nH
ppm/ 擄C V
R
= 3V, f=1MHz
C
C
0.1
p
F
f=1MHz
TUNING CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C).
PARAMETER
Diode Capacitance
Capacitance Ratio
Figure of MERIT
SYMBOL
C
d
C
d
/ C
d
Q
MIN.
20
4.5
200
300
TYP.
MAX.
25
UNIT
pF
CONDITIONS.
V
R
= 3V, f=1MHz
V
R
= 3V/25V, f=1MHz
V
R
= 3V, f=50MHz
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