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FMMT38C Datasheet

  • FMMT38C

  • NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 鈥?AUGUST 1996
FEATURES
* 60 Volt V
CEO
* Gain of 10K at I
C
=0.5 Amp
PARTMARKING DETAILS 鈥?/div>
FMMT38A 鈥?4J
FMMT38B 鈥?5J
FMMT38C 鈥?7J
FMMT38A
FMMT38B
FMMT38C
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
80
60
10
800
300
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-on Voltage
Static
Forward
Current
Transfer
Ratio
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(on)
500
1000
2000
4000
5000
10000
80
60
10
100
100
1.25
1.8
MIN.
MAX.
V
V
V
nA
nA
V
V
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=10 A , I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10 A , I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=8V, I
C
=0
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
I
C
=800mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
2%
FMMT38A h
FE
FMMT38B
FMMT38C
3 - 100

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle
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    NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
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    NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR
    ZETEX
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    Avalanche Transistor
    KEXIN [Gua...
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    Avalanche Transistor
    KEXIN [Gua...
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    NPN Low Saturation Transistor
    FAIRCHILD
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    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
    ZETEX
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    TRANS NPN 30V 1A SSOT-3
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    Low Equivalent On-Resistance
    金譽

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